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此外，的K电温度依赖的电学测量和传输特性曲线进一步阐释了单斜二碲化钼具有典型的半金属特性。力线显微学表征揭示了固定化的前驱体颗粒明显倾向于被单层消耗并源源不断地为单层的生长提供材料来源。
这主要是因为碲化钼的反应速率常数较低，载波使得岛状生长优先于连续薄膜生长，导致大面积单层碲化钼的制备受到限制。通讯文献链接：ImmobilizedPrecursorParticleDrivenGrowthofCentimeter-SizedMoTe2Monolayer,JACS,2021,DOI:10.1021/jacs.1c06250.。系统（h）在PET衬底上弯曲的二碲化钼的照片。
设计（b）单斜二碲化钼的高分辨TEM图像。基于这一发现为那些低反应速率的过渡金属硫化物的大面积制备提供了简便策略。
的K电（b,c）不同退火温度下制备的二碲化钼样品的XPS图谱。
力线（f）二碲化钼分子从二碲化钼单层表面到边缘扩散的吸附构型。（b）在水氧化条件和不同外加电位下，载波赤铁矿（α-Fe2O3）空穴的瞬态吸收衰减。
（f）强度调制光电流光谱的电荷复合速率常数表明，通讯当添加IrOx催化剂时赤铁矿（α-Fe2O3）光阳极中的表面复合较慢。它们的性能限制主要是由于体电荷载流子寿命与界面催化时间尺度之间的动力学不匹配，系统导致大多数光激发电子和空穴的重组。
（b）超快瞬态吸收衰减数据显示，设计对比单独的BiVO4，当WO3与BiVO4形成异质结时获得更长的寿命。图四、基于在金属氧化物光阳极中发现的三种主要类型的半导体固态结（a）两个金属氧化物半导体之间的II型异质结，以n-n结的能带弯曲为例进行说明。
